2Т830В -1; 2Т830Г -1П/проводниковые приборы / ТРАНЗИСТОРЫ / - бескорпусные транзисторы с гибкими выводами / 2Т830В -1; 2Т830Г -1
 | Конструктивное исполнение |
| Производитель: Брянск, ЗАО "Кремний-Маркетинг"
Описание:
2Т830В -1; 2Т830Г -1
Структура,
тип |
UКБО,
В |
UКЭО,
В |
IК,
А |
h21э
при |
UКЭнас,
при |
|
min |
IК,
А |
UК,
В |
В |
IК,
А |
IБ,
А |
|
PNP |
|
2Т830В
-1
2Т830Г
-1 |
60 |
60 |
2 |
25 |
1 |
2 |
0,6 |
1 |
0,1 |
|
80 |
80 |
2 |
25 |
1 |
2 |
0,6 |
1 |
0,1 |
|
Примечание: коллектор - основание кристалла
Параметры компонента "2Т830В -1; 2Т830Г -1"
|